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    腦氧模擬器 試驗機

    更新時間:2023-05-06

    簡要描述:

    腦氧模擬器技術(shù)規(guī)格組織氧飽和度模擬誤差 :+-2%(40%~90%)以甲方提供樣機為標準,具體需要參考甲方樣機算法,初步定為正負 2%

    腦氧模擬器


    <strong>腦氧模擬器</strong>.jpg


    ESTO2


    腦血氧技術(shù)規(guī)格:

    1 組織氧飽和度 StO2 模擬范圍 :0~100%;

    2 組織氧飽和度模擬分辨率: 1%;

    3 組織氧飽和度模擬誤差 :+-2%(40%~90%)以甲方提供樣機為標準,具體需要參考甲方樣機算法,初步定為正負 2%;

    4 輻射騷擾(RE): CLASS B;

    5 靜電(ESD) 空氣 8 千伏,接觸 15 千伏(注:非直接接觸光學(xué)探頭);

    6 標準要求 符合 YY0505:2012 和 IEC60601-1-2:2014。



    腦氧模擬器

    腦血氧技術(shù)規(guī)格:

    1 組織氧飽和度 StO2 模擬范圍 :0~100%;

    2 組織氧飽和度模擬分辨率: 1%;

    3 組織氧飽和度模擬誤差 :+-2%(40%~90%)以甲方提供樣機為標準,具體需要參考甲方樣機算法,初步定為正負 2%;

    4 輻射騷擾(RE): CLASS B;

    5 靜電(ESD) 空氣 8 千伏,接觸 15 千伏(注:非直接接觸光學(xué)探頭);

    6 標準要求 符合 YY0505:2012 和 IEC60601-1-2:2014。


    腦血氧技術(shù)規(guī)格:

    1 組織氧飽和度 StO2 模擬范圍 :0~100%;

    2 組織氧飽和度模擬分辨率: 1%;

    3 組織氧飽和度模擬誤差 :+-2%(40%~90%)以甲方提供樣機為標準,具體需要參考甲方樣機算法,初步定為正負 2%;

    4 輻射騷擾(RE): CLASS B;

    5 靜電(ESD) 空氣 8 千伏,接觸 15 千伏(注:非直接接觸光學(xué)探頭);

    6 標準要求 符合 YY0505:2012 和 IEC60601-1-2:2014。

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